HN3C51F-BL(TE85L,F

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Numero parte HN3C51F-BL(TE85L,F
LIXINC Part # HN3C51F-BL(TE85L,F
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - bipolari (bjt) - array
Descrizione TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD HN3C51F-BL(TE85L,F Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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HN3C51F-BL(TE85L,F Specifiche

Numero parte:HN3C51F-BL(TE85L,F
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - bipolari (bjt) - array
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Obsolete
tipo a transistor:2 NPN (Dual)
corrente - collettore (ic) (max):100mA
tensione - guasto collettore emettitore (max):120V
vce saturazione (max) @ ib, ic:300mV @ 1mA, 10mA
corrente - taglio collettore (max):100nA (ICBO)
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce:350 @ 2mA, 6V
potenza - max:300mW
frequenza - transizione:100MHz
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:SC-74, SOT-457
pacchetto del dispositivo del fornitore:SM6

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