2SA965-Y,T6F(J

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Numero parte 2SA965-Y,T6F(J
LIXINC Part # 2SA965-Y,T6F(J
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - bipolare (bjt) - singolo
Descrizione TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD 2SA965-Y,T6F(J Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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2SA965-Y,T6F(J Specifiche

Numero parte:2SA965-Y,T6F(J
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - bipolare (bjt) - singolo
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Obsolete
tipo a transistor:PNP
corrente - collettore (ic) (max):800 mA
tensione - guasto collettore emettitore (max):120 V
vce saturazione (max) @ ib, ic:1V @ 50mA, 500mA
corrente - taglio collettore (max):100nA (ICBO)
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 100mA, 5V
potenza - max:900 mW
frequenza - transizione:120MHz
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:TO-226-3, TO-92-3 Long Body
pacchetto del dispositivo del fornitore:LSTM

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