2SA1382,T6MIBF(J

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Numero parte 2SA1382,T6MIBF(J
LIXINC Part # 2SA1382,T6MIBF(J
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - bipolare (bjt) - singolo
Descrizione TRANS PNP 2A 50V TO226-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD 2SA1382,T6MIBF(J Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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2SA1382,T6MIBF(J Specifiche

Numero parte:2SA1382,T6MIBF(J
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - bipolare (bjt) - singolo
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Obsolete
tipo a transistor:PNP
corrente - collettore (ic) (max):2 A
tensione - guasto collettore emettitore (max):50 V
vce saturazione (max) @ ib, ic:500mV @ 33mA, 1A
corrente - taglio collettore (max):100nA (ICBO)
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce:150 @ 500mA, 2V
potenza - max:900 mW
frequenza - transizione:110MHz
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:TO-226-3, TO-92-3 Long Body
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-92MOD

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