CYD09S72V18-200BGXI

CYD09S72V18-200BGXI
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Numero parte CYD09S72V18-200BGXI
LIXINC Part # CYD09S72V18-200BGXI
Produttore Rochester Electronics
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione IC SRAM 9MBIT PARALLEL 484FBGA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD CYD09S72V18-200BGXI Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 20 - Oct 24 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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CYD09S72V18-200BGXI Specifiche

Numero parte:CYD09S72V18-200BGXI
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Tray
stato della parte:Obsolete
tipo di memoria:Volatile
formato di memoria:SRAM
tecnologia:SRAM - Dual Port, Synchronous
Dimensione della memoria:9Mb (128K x 72)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:200 MHz
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:-
tempo di accesso:3.3 ns
tensione - alimentazione:1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:484-FBGA
pacchetto del dispositivo del fornitore:484-FBGA (23x23)

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