CY7C1365C-133BZI

CY7C1365C-133BZI
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Numero parte CY7C1365C-133BZI
LIXINC Part # CY7C1365C-133BZI
Produttore Rochester Electronics
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione CACHE SRAM, 256KX32, 6.5NS, CMOS
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD CY7C1365C-133BZI Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 27 - Oct 31 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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CY7C1365C-133BZI Specifiche

Numero parte:CY7C1365C-133BZI
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di memoria:Volatile
formato di memoria:SRAM
tecnologia:SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria:8Mb (256K x 32)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:133 MHz
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:-
tempo di accesso:6.5 ns
tensione - alimentazione:3.135V ~ 3.63V
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:165-LBGA
pacchetto del dispositivo del fornitore:165-FBGA (13x15)

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