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IS43DR86400E-3DBL

IS43DR86400E-3DBL
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Numero parte IS43DR86400E-3DBL
LIXINC Part # IS43DR86400E-3DBL
Produttore ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Categoria circuiti integrati › memoria
Descrizione IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IS43DR86400E-3DBL Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 23 - Oct 27 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IS43DR86400E-3DBL Specifiche

Numero parte:IS43DR86400E-3DBL
Marca:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
serie:-
pacchetto:Tray
stato della parte:Active
tipo di memoria:Volatile
formato di memoria:DRAM
tecnologia:SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria:512Mb (64M x 8)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:333 MHz
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:15ns
tempo di accesso:450 ns
tensione - alimentazione:1.7V ~ 1.9V
temperatura di esercizio:0°C ~ 85°C (TC)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:60-TFBGA
pacchetto del dispositivo del fornitore:60-TWBGA (8x10.5)

IS43DR86400E-3DBL Documenti

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