CY14B104N-BA25XI

CY14B104N-BA25XI
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Numero parte CY14B104N-BA25XI
LIXINC Part # CY14B104N-BA25XI
Produttore Rochester Electronics
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD CY14B104N-BA25XI Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
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CY14B104N-BA25XI Specifiche

Numero parte:CY14B104N-BA25XI
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo di memoria:Non-Volatile
formato di memoria:NVSRAM
tecnologia:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Dimensione della memoria:4Mb (256K x 16)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:-
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:25ns
tempo di accesso:25 ns
tensione - alimentazione:2.7V ~ 3.6V
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:48-TFBGA
pacchetto del dispositivo del fornitore:48-FBGA (6x10)

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