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AS4C16M16MSA-6BIN

AS4C16M16MSA-6BIN
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Numero parte AS4C16M16MSA-6BIN
LIXINC Part # AS4C16M16MSA-6BIN
Produttore Alliance Memory, Inc.
Categoria circuiti integrati › memoria
Descrizione IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54FBGA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD AS4C16M16MSA-6BIN Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 22 - Oct 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

AS4C16M16MSA-6BIN Specifiche

Numero parte:AS4C16M16MSA-6BIN
Marca:Alliance Memory, Inc.
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Alliance Memory, Inc.
serie:-
pacchetto:Tray
stato della parte:Active
tipo di memoria:Volatile
formato di memoria:DRAM
tecnologia:SDRAM - Mobile SDRAM
Dimensione della memoria:256Mb (16M x 16)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:166 MHz
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:-
tempo di accesso:5.5 ns
tensione - alimentazione:1.7V ~ 1.95V
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:54-VFBGA
pacchetto del dispositivo del fornitore:54-FBGA (8x8)

AS4C16M16MSA-6BIN Documenti

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