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Numero parte | 71V416S10YG |
LIXINC Part # | 71V416S10YG |
Produttore | Renesas Electronics America |
Categoria | circuiti integrati › memoria |
Descrizione | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | 71V416S10YG Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 27 - Oct 31 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | 71V416S10YG |
Marca: | Renesas Electronics America |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | circuiti integrati |
Sottocategoria: | memoria |
Produttore: | Renesas Electronics America |
serie: | - |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di memoria: | Volatile |
formato di memoria: | SRAM |
tecnologia: | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria: | 4Mb (256K x 16) |
interfaccia di memoria: | Parallel |
frequenza di clock: | - |
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina: | 10ns |
tempo di accesso: | 10 ns |
tensione - alimentazione: | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio: | 0°C ~ 70°C (TA) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 44-SOJ |
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In magazzino | 10882 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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