IS61DDB21M18A-300M3L

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Numero parte IS61DDB21M18A-300M3L
LIXINC Part # IS61DDB21M18A-300M3L
Produttore ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IS61DDB21M18A-300M3L Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 21 - Oct 25 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IS61DDB21M18A-300M3L Specifiche

Numero parte:IS61DDB21M18A-300M3L
Marca:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
serie:-
pacchetto:Tray
stato della parte:Active
tipo di memoria:Volatile
formato di memoria:SRAM
tecnologia:SRAM - Synchronous, DDR II
Dimensione della memoria:18Mb (1M x 18)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:300 MHz
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:-
tempo di accesso:-
tensione - alimentazione:1.71V ~ 1.89V
temperatura di esercizio:0°C ~ 70°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:165-LBGA
pacchetto del dispositivo del fornitore:165-LFBGA (13x15)

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