CY7C1312KV18-300BZXI

CY7C1312KV18-300BZXI
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Numero parte CY7C1312KV18-300BZXI
LIXINC Part # CY7C1312KV18-300BZXI
Produttore Cypress Semiconductor
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD CY7C1312KV18-300BZXI Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 31 - Nov 04 2024(Scegli spedizione rapida)
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CY7C1312KV18-300BZXI Specifiche

Numero parte:CY7C1312KV18-300BZXI
Marca:Cypress Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Cypress Semiconductor
serie:-
pacchetto:TrayTray
stato della parte:Active
tipo di memoria:Volatile
formato di memoria:SRAM
tecnologia:SRAM - Synchronous, QDR II
Dimensione della memoria:18Mb (1M x 18)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:300 MHz
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:-
tempo di accesso:-
tensione - alimentazione:1.7V ~ 1.9V
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:165-LBGA
pacchetto del dispositivo del fornitore:165-FBGA (13x15)

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