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Numero parte | CY7C1370DV25-167BZC |
LIXINC Part # | CY7C1370DV25-167BZC |
Produttore | Rochester Electronics |
Categoria | circuiti integrati › memoria |
Descrizione | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | CY7C1370DV25-167BZC Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 26 - Oct 30 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | CY7C1370DV25-167BZC |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | circuiti integrati |
Sottocategoria: | memoria |
Produttore: | Rochester Electronics |
serie: | NoBL™ |
pacchetto: | Tray |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di memoria: | Volatile |
formato di memoria: | SRAM |
tecnologia: | SRAM - Synchronous, SDR |
Dimensione della memoria: | 18Mb (512K x 36) |
interfaccia di memoria: | Parallel |
frequenza di clock: | 167 MHz |
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina: | - |
tempo di accesso: | 3.4 ns |
tensione - alimentazione: | 2.375V ~ 2.625V |
temperatura di esercizio: | 0°C ~ 70°C (TA) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | 165-LBGA |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 165-FBGA (13x15) |
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BR24T01F-WE2 | IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8SOP | 4213 Maggiori informazioni su Ordine |
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W989D6DBGX6I | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54VFBGA | 902 Maggiori informazioni su Ordine |
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CY7C1329-100AI | CACHE SRAM, 64KX32, 5NS | 935 Maggiori informazioni su Ordine |
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IS21ES04G-JCLI | IC FLASH 32GBIT EMMC 153VFBGA | 906 Maggiori informazioni su Ordine |
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AT25128B-MAHL-T | IC EEPROM 128KBIT SPI 8UDFN | 5263 Maggiori informazioni su Ordine |
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23LC1024T-I/SN | IC SRAM 1MBIT SPI/QUAD I/O 8SOIC | 962 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 13846 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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