DS1230AB-200IND

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Numero parte DS1230AB-200IND
LIXINC Part # DS1230AB-200IND
Produttore Rochester Electronics
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD DS1230AB-200IND Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 18 - Oct 22 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

DS1230AB-200IND Specifiche

Numero parte:DS1230AB-200IND
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo di memoria:Non-Volatile
formato di memoria:NVSRAM
tecnologia:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Dimensione della memoria:256Kb (32K x 8)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:-
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:200ns
tempo di accesso:200 ns
tensione - alimentazione:4.75V ~ 5.25V
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
pacchetto del dispositivo del fornitore:28-EDIP

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