FD900R12IP4DBOSA1 | IR (Infineon Technologies) FD900R12IP4DBOSA1 | FD900R12IP4DBOSA1 Inventory, Best Pricing

FD900R12IP4DBOSA1

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Numero parte	FD900R12IP4DBOSA1
LIXINC Part #	FD900R12IP4DBOSA1
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - igbt - moduli
Descrizione	IGBT MOD 1200V 900A 5100W
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FD900R12IP4DBOSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FD900R12IP4DBOSA1 Specifiche

Numero parte:	FD900R12IP4DBOSA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - igbt - moduli
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	-
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Active
tipo igbt:	-
configurazione:	Single Chopper
tensione - guasto collettore emettitore (max):	1200 V
corrente - collettore (ic) (max):	900 A
potenza - max:	5100 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.05V @ 15V, 900A
corrente - taglio collettore (max):	5 mA
capacità di ingresso (cies) @ vce:	54 nF @ 25 V
ingresso:	Standard
termistore ntc:	Yes
temperatura di esercizio:	-40°C ~ 150°C
tipo di montaggio:	Chassis Mount
pacchetto/caso:	Module
pacchetto del dispositivo del fornitore:	Module

FP10R12W1T4BOMA1	IGBT MOD 1200V 20A 105W	973 Maggiori informazioni su Ordine
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FZ2400R12HP4B9HOSA2	FZ2400R12 - IGBT MODULE	1086 Maggiori informazioni su Ordine
FS50R12KT4PB11BPSA1	IGBT MOD 1200V 100A 20MW	901 Maggiori informazioni su Ordine
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F4150R06KL4BOSA1	IGBT MOD 600V 180A 570W	916 Maggiori informazioni su Ordine
FMG2G50US120	IGBT MODULE 1200V 50A 320W 7PMGA	901 Maggiori informazioni su Ordine