VS-ETF150Y65N

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Numero parte VS-ETF150Y65N
LIXINC Part # VS-ETF150Y65N
Produttore Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - moduli
Descrizione IGBT MOD 650V 201A 600W
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD VS-ETF150Y65N Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

VS-ETF150Y65N Specifiche

Numero parte:VS-ETF150Y65N
Marca:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - moduli
Produttore:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:FRED Pt®
pacchetto:Box
stato della parte:Obsolete
tipo igbt:NPT
configurazione:Half Bridge Inverter
tensione - guasto collettore emettitore (max):650 V
corrente - collettore (ic) (max):201 A
potenza - max:600 W
vce(on) (max) @ vge, ic:2.17V @ 15V, 150A
corrente - taglio collettore (max):-
capacità di ingresso (cies) @ vce:-
ingresso:Standard
termistore ntc:Yes
temperatura di esercizio:175°C (TJ)
tipo di montaggio:-
pacchetto/caso:Module
pacchetto del dispositivo del fornitore:Module

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