FS75R12KE3B9BOSA1 | Rochester Electronics FS75R12KE3B9BOSA1 | FS75R12KE3B9BOSA1 Inventory, Best Pricing

FS75R12KE3B9BOSA1

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Numero parte	FS75R12KE3B9BOSA1
LIXINC Part #	FS75R12KE3B9BOSA1
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - igbt - moduli
Descrizione	FS75R12 - IGBT MODULE
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FS75R12KE3B9BOSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FS75R12KE3B9BOSA1 Specifiche

Numero parte:	FS75R12KE3B9BOSA1
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - igbt - moduli
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	-
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Active
tipo igbt:	Trench Field Stop
configurazione:	Three Phase Inverter
tensione - guasto collettore emettitore (max):	1.2 V
corrente - collettore (ic) (max):	105 A
potenza - max:	355 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.15V @ 15V, 75A
corrente - taglio collettore (max):	1 mA
capacità di ingresso (cies) @ vce:	5.3 nF @ 25 V
ingresso:	Standard
termistore ntc:	No
temperatura di esercizio:	-40°C ~ 125°C
tipo di montaggio:	Chassis Mount
pacchetto/caso:	Module
pacchetto del dispositivo del fornitore:	Module

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