FF650R17IE4DB2BOSA1 | IR (Infineon Technologies) FF650R17IE4DB2BOSA1 | FF650R17IE4DB2BOSA1 Inventory, Best Pricing

FF650R17IE4DB2BOSA1

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Numero parte	FF650R17IE4DB2BOSA1
LIXINC Part #	FF650R17IE4DB2BOSA1
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - igbt - moduli
Descrizione	IGBT MODULE 1700V 4150W
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FF650R17IE4DB2BOSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FF650R17IE4DB2BOSA1 Specifiche

Numero parte:	FF650R17IE4DB2BOSA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - igbt - moduli
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	-
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Active
tipo igbt:	-
configurazione:	2 Independent
tensione - guasto collettore emettitore (max):	1700 V
corrente - collettore (ic) (max):	-
potenza - max:	4150 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.45V @ 15V, 650A
corrente - taglio collettore (max):	5 mA
capacità di ingresso (cies) @ vce:	54 nF @ 25 V
ingresso:	Standard
termistore ntc:	Yes
temperatura di esercizio:	-40°C ~ 150°C
tipo di montaggio:	Chassis Mount
pacchetto/caso:	Module
pacchetto del dispositivo del fornitore:	Module

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F3L75R12W1H3B27BOMA1	IGBT MOD 1200V 45A 275W	969 Maggiori informazioni su Ordine
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F4100R17N3E4BPSA1	LOW POWER ECONO	814 Maggiori informazioni su Ordine
DDB6U180N16RRB37BOSA1	IGBT MODULE	812 Maggiori informazioni su Ordine