BYM300B170DN2HOSA1

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Numero parte BYM300B170DN2HOSA1
LIXINC Part # BYM300B170DN2HOSA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - moduli
Descrizione IGBT MOD 650V 40A 20MW
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD BYM300B170DN2HOSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
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BYM300B170DN2HOSA1 Specifiche

Numero parte:BYM300B170DN2HOSA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - moduli
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:-
pacchetto:Tray
stato della parte:Last Time Buy
tipo igbt:Trench Field Stop
configurazione:2 Independent
tensione - guasto collettore emettitore (max):650 V
corrente - collettore (ic) (max):40 A
potenza - max:20 mW
vce(on) (max) @ vge, ic:1.55V @ 15V, 25A
corrente - taglio collettore (max):40 µA
capacità di ingresso (cies) @ vce:2.8 nF @ 25 V
ingresso:Standard
termistore ntc:Yes
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Chassis Mount
pacchetto/caso:Module
pacchetto del dispositivo del fornitore:Module

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