FD16001200R17HP4B2BOSA2

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Numero parte FD16001200R17HP4B2BOSA2
LIXINC Part # FD16001200R17HP4B2BOSA2
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - moduli
Descrizione IGBT MODULE VCES 1700V 1600A
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FD16001200R17HP4B2BOSA2 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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FD16001200R17HP4B2BOSA2 Specifiche

Numero parte:FD16001200R17HP4B2BOSA2
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - moduli
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo igbt:-
configurazione:Dual Brake Chopper
tensione - guasto collettore emettitore (max):1700 V
corrente - collettore (ic) (max):-
potenza - max:10500 W
vce(on) (max) @ vge, ic:2.25V @ 15V, 1600A
corrente - taglio collettore (max):5 mA
capacità di ingresso (cies) @ vce:130 nF @ 25 V
ingresso:Standard
termistore ntc:No
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C
tipo di montaggio:Chassis Mount
pacchetto/caso:Module
pacchetto del dispositivo del fornitore:Module

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