FZ800R12KS4B2NOSA1

FZ800R12KS4B2NOSA1
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Numero parte FZ800R12KS4B2NOSA1
LIXINC Part # FZ800R12KS4B2NOSA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - moduli
Descrizione IGBT MOD 1200V 1200A 7600W
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FZ800R12KS4B2NOSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FZ800R12KS4B2NOSA1 Specifiche

Numero parte:FZ800R12KS4B2NOSA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - moduli
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:-
pacchetto:Tray
stato della parte:Last Time Buy
tipo igbt:-
configurazione:Single
tensione - guasto collettore emettitore (max):1200 V
corrente - collettore (ic) (max):1200 A
potenza - max:7600 W
vce(on) (max) @ vge, ic:3.7V @ 15V, 800A
corrente - taglio collettore (max):5 mA
capacità di ingresso (cies) @ vce:52 nF @ 25 V
ingresso:Standard
termistore ntc:No
temperatura di esercizio:-40°C ~ 125°C
tipo di montaggio:Chassis Mount
pacchetto/caso:Module
pacchetto del dispositivo del fornitore:Module

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