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Numero parte | FZ800R12KS4B2NOSA1 |
LIXINC Part # | FZ800R12KS4B2NOSA1 |
Produttore | IR (Infineon Technologies) |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - igbt - moduli |
Descrizione | IGBT MOD 1200V 1200A 7600W |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | FZ800R12KS4B2NOSA1 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | FZ800R12KS4B2NOSA1 |
Marca: | IR (Infineon Technologies) |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - igbt - moduli |
Produttore: | IR (Infineon Technologies) |
serie: | - |
pacchetto: | Tray |
stato della parte: | Last Time Buy |
tipo igbt: | - |
configurazione: | Single |
tensione - guasto collettore emettitore (max): | 1200 V |
corrente - collettore (ic) (max): | 1200 A |
potenza - max: | 7600 W |
vce(on) (max) @ vge, ic: | 3.7V @ 15V, 800A |
corrente - taglio collettore (max): | 5 mA |
capacità di ingresso (cies) @ vce: | 52 nF @ 25 V |
ingresso: | Standard |
termistore ntc: | No |
temperatura di esercizio: | -40°C ~ 125°C |
tipo di montaggio: | Chassis Mount |
pacchetto/caso: | Module |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | Module |
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In magazzino | 10958 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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