FF200R17KE3HOSA1 | IR (Infineon Technologies) FF200R17KE3HOSA1 | FF200R17KE3HOSA1 Inventory, Best Pricing

FF200R17KE3HOSA1

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Numero parte	FF200R17KE3HOSA1
LIXINC Part #	FF200R17KE3HOSA1
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - igbt - moduli
Descrizione	IGBT MOD 1700V 310A 1250W
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FF200R17KE3HOSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FF200R17KE3HOSA1 Specifiche

Numero parte:	FF200R17KE3HOSA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - igbt - moduli
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	C
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Active
tipo igbt:	Trench Field Stop
configurazione:	Half Bridge
tensione - guasto collettore emettitore (max):	1700 V
corrente - collettore (ic) (max):	310 A
potenza - max:	1250 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.45V @ 15V, 200A
corrente - taglio collettore (max):	3 mA
capacità di ingresso (cies) @ vce:	18 nF @ 25 V
ingresso:	Standard
termistore ntc:	No
temperatura di esercizio:	-40°C ~ 125°C (TJ)
tipo di montaggio:	Chassis Mount
pacchetto/caso:	Module
pacchetto del dispositivo del fornitore:	Module

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FF600R12ME4PB11BOSA1	IGBT MODULE VCES 600V 600A	952 Maggiori informazioni su Ordine
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FS25R12W1T4B11BOMA1	IGBT MOD 1200V 45A 205W	844 Maggiori informazioni su Ordine