MG12150S-BN2MM

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Numero parte MG12150S-BN2MM
LIXINC Part # MG12150S-BN2MM
Produttore Wickmann / Littelfuse
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - moduli
Descrizione IGBT MODULE 1200V 200A 625W S3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD MG12150S-BN2MM Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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MG12150S-BN2MM Specifiche

Numero parte:MG12150S-BN2MM
Marca:Wickmann / Littelfuse
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - moduli
Produttore:Wickmann / Littelfuse
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo igbt:Trench Field Stop
configurazione:Half Bridge
tensione - guasto collettore emettitore (max):1200 V
corrente - collettore (ic) (max):200 A
potenza - max:625 W
vce(on) (max) @ vge, ic:1.7V @ 15V, 150A (Typ)
corrente - taglio collettore (max):1 mA
capacità di ingresso (cies) @ vce:10.5 nF @ 25 V
ingresso:Standard
termistore ntc:No
temperatura di esercizio:-40°C ~ 125°C (TJ)
tipo di montaggio:Chassis Mount
pacchetto/caso:S-3 Module
pacchetto del dispositivo del fornitore:S3

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