FS50R12W2T4BOMA1

FS50R12W2T4BOMA1
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Numero parte FS50R12W2T4BOMA1
LIXINC Part # FS50R12W2T4BOMA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - moduli
Descrizione IGBT MOD 1200V 83A 335W
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FS50R12W2T4BOMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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FS50R12W2T4BOMA1 Specifiche

Numero parte:FS50R12W2T4BOMA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - moduli
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:-
pacchetto:Tray
stato della parte:Active
tipo igbt:Trench Field Stop
configurazione:Full Bridge Inverter
tensione - guasto collettore emettitore (max):1200 V
corrente - collettore (ic) (max):83 A
potenza - max:335 W
vce(on) (max) @ vge, ic:2.15V @ 15V, 50A
corrente - taglio collettore (max):1 mA
capacità di ingresso (cies) @ vce:2.8 nF @ 25 V
ingresso:Standard
termistore ntc:Yes
temperatura di esercizio:-40°C ~ 125°C
tipo di montaggio:Chassis Mount
pacchetto/caso:Module
pacchetto del dispositivo del fornitore:Module

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