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Numero parte | RN2605(TE85L,F) |
LIXINC Part # | RN2605(TE85L,F) |
Produttore | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - bipolari (bjt) - array, pre-polarizzati |
Descrizione | TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | RN2605(TE85L,F) Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | RN2605(TE85L,F) |
Marca: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - bipolari (bjt) - array, pre-polarizzati |
Produttore: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo a transistor: | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
corrente - collettore (ic) (max): | 100mA |
tensione - guasto collettore emettitore (max): | 50V |
resistenza - base (r1): | 2.2kOhms |
resistenza - base emettitore (r2): | 47kOhms |
guadagno di corrente continua (hfe) (min) @ ic, vce: | 80 @ 10mA, 5V |
vce saturazione (max) @ ib, ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
corrente - taglio collettore (max): | 100nA (ICBO) |
frequenza - transizione: | 200MHz |
potenza - max: | 300mW |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | SC-74, SOT-457 |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | SM6 |
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In magazzino | 14908 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.48000 | $0.48 |
3000 | $0.08820 | $264.6 |
6000 | $0.07938 | $476.28 |
15000 | $0.07056 | $1058.4 |
30000 | $0.06615 | $1984.5 |
75000 | $0.05880 | $4410 |
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