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Numero parte | IPG20N06S415ATMA1 |
LIXINC Part # | IPG20N06S415ATMA1 |
Produttore | Rochester Electronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - array |
Descrizione | IPG20N06S4-15- 55V-60V N-CHANNEL |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | IPG20N06S415ATMA1 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | IPG20N06S415ATMA1 |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - array |
Produttore: | Rochester Electronics |
serie: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
pacchetto: | Bulk |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | 2 N-Channel (Dual) |
caratteristica del feto: | Standard |
tensione drain-source (vdss): | 60V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 20A |
rds su (max) @ id, vgs: | 15.5mOhm @ 17A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4V @ 20µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 29nC @ 10V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 2260pF @ 25V |
potenza - max: | 50W |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | 8-PowerVDFN |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | PG-TDSON-8-4 |
NTE2960 | MOSFET-N-CHAN ENHANCEMENT | 1077 Maggiori informazioni su Ordine |
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SI4210DY-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC | 1286 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 10902 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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