IPG20N06S415ATMA1

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Numero parte IPG20N06S415ATMA1
LIXINC Part # IPG20N06S415ATMA1
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - array
Descrizione IPG20N06S4-15- 55V-60V N-CHANNEL
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IPG20N06S415ATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
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Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPG20N06S415ATMA1 Specifiche

Numero parte:IPG20N06S415ATMA1
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - array
Produttore:Rochester Electronics
serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:2 N-Channel (Dual)
caratteristica del feto:Standard
tensione drain-source (vdss):60V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:20A
rds su (max) @ id, vgs:15.5mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 20µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:29nC @ 10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2260pF @ 25V
potenza - max:50W
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:8-PowerVDFN
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TDSON-8-4

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