SIZ200DT-T1-GE3

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Numero parte SIZ200DT-T1-GE3
LIXINC Part # SIZ200DT-T1-GE3
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - array
Descrizione MOSFET N-CH DUAL 30V
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SIZ200DT-T1-GE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
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SIZ200DT-T1-GE3 Specifiche

Numero parte:SIZ200DT-T1-GE3
Marca:Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - array
Produttore:Vishay / Siliconix
serie:TrenchFET® Gen IV
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:2 N-Channel (Dual)
caratteristica del feto:Standard
tensione drain-source (vdss):30V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
rds su (max) @ id, vgs:5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:28nC @ 10V, 30nC @ 10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
potenza - max:4.3W (Ta), 33W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:8-PowerWDFN
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-PowerPair® (3.3x3.3)

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