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Numero parte | SIZ200DT-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SIZ200DT-T1-GE3 |
Produttore | Vishay / Siliconix |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - array |
Descrizione | MOSFET N-CH DUAL 30V |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | SIZ200DT-T1-GE3 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | SIZ200DT-T1-GE3 |
Marca: | Vishay / Siliconix |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - array |
Produttore: | Vishay / Siliconix |
serie: | TrenchFET® Gen IV |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | 2 N-Channel (Dual) |
caratteristica del feto: | Standard |
tensione drain-source (vdss): | 30V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc) |
rds su (max) @ id, vgs: | 5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.4V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 28nC @ 10V, 30nC @ 10V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V |
potenza - max: | 4.3W (Ta), 33W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | 8-PowerWDFN |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 8-PowerPair® (3.3x3.3) |
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In magazzino | 11675 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.08000 | $1.08 |
3000 | $0.50581 | $1517.43 |
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15000 | $0.46511 | $6976.65 |
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