SI5902BDC-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SI5902BDC-T1-GE3 | SI5902BDC-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SI5902BDC-T1-GE3

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Numero parte	SI5902BDC-T1-GE3
LIXINC Part #	SI5902BDC-T1-GE3
Produttore	Vishay / Siliconix
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - array
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	SI5902BDC-T1-GE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

SI5902BDC-T1-GE3 Specifiche

Numero parte:	SI5902BDC-T1-GE3
Marca:	Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - array
Produttore:	Vishay / Siliconix
serie:	TrenchFET®
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	2 N-Channel (Dual)
caratteristica del feto:	Logic Level Gate
tensione drain-source (vdss):	30V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	4A
rds su (max) @ id, vgs:	65mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	7nC @ 10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	220pF @ 15V
potenza - max:	3.12W
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto/caso:	8-SMD, Flat Lead
pacchetto del dispositivo del fornitore:	1206-8 ChipFET™

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DMN2019UTS-13	MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8	45836 Maggiori informazioni su Ordine