2SK3666-3-TB-E

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Numero parte 2SK3666-3-TB-E
LIXINC Part # 2SK3666-3-TB-E
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - jfet
Descrizione JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD 2SK3666-3-TB-E Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 20 - Oct 24 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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2SK3666-3-TB-E Specifiche

Numero parte:2SK3666-3-TB-E
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - jfet
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tensione - guasto (v(br)gss):-
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico (idss) @ vds (vgs=0):1.2 mA @ 10 V
assorbimento di corrente (id) - max:10 mA
voltaggio - taglio (vgs off) @ id:180 mV @ 1 µA
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:4pF @ 10V
resistenza - rds(acceso):200 Ohms
potenza - max:200 mW
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
pacchetto del dispositivo del fornitore:3-CP

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