A2G35S200-01SR3

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Numero parte A2G35S200-01SR3
LIXINC Part # A2G35S200-01SR3
Produttore NXP Semiconductors
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - rf
Descrizione AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD A2G35S200-01SR3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
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A2G35S200-01SR3 Specifiche

Numero parte:A2G35S200-01SR3
Marca:NXP Semiconductors
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - rf
Produttore:NXP Semiconductors
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo a transistor:GaN HEMT
frequenza:3.4GHz ~ 3.6GHz
guadagno:16.1dB
tensione - prova:48 V
corrente nominale (ampere):-
figura di rumore:-
corrente - prova:291 mA
potenza - uscita:180W
tensione - nominale:125 V
pacchetto/caso:NI-400S-2S
pacchetto del dispositivo del fornitore:NI-400S-2S

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