1N6483HE3/97

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Numero parte 1N6483HE3/97
LIXINC Part # 1N6483HE3/97
Produttore Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD 1N6483HE3/97 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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1N6483HE3/97 Specifiche

Numero parte:1N6483HE3/97
Marca:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:SUPERECTIFIER®
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Active
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):800 V
corrente - media rettificata (io):1A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:1.1 V @ 1 A
velocità:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):-
corrente - dispersione inversa @ vr:10 µA @ 800 V
capacità @ vr, f:8pF @ 4V, 1MHz
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:DO-213AB, MELF (Glass)
pacchetto del dispositivo del fornitore:DO-213AB
temperatura di esercizio - giunzione:-65°C ~ 175°C

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