VS-8EWF02S-M3

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Numero parte VS-8EWF02S-M3
LIXINC Part # VS-8EWF02S-M3
Produttore Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 200V 8A TO252AA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD VS-8EWF02S-M3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 26 - Oct 30 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

VS-8EWF02S-M3 Specifiche

Numero parte:VS-8EWF02S-M3
Marca:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):200 V
corrente - media rettificata (io):8A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:1.2 V @ 8 A
velocità:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):55 ns
corrente - dispersione inversa @ vr:100 µA @ 200 V
capacità @ vr, f:-
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
pacchetto del dispositivo del fornitore:D-PAK (TO-252AA)
temperatura di esercizio - giunzione:-40°C ~ 150°C

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