VS-2EFH01HM3/I

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Numero parte VS-2EFH01HM3/I
LIXINC Part # VS-2EFH01HM3/I
Produttore Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 100V 2A DO219AB
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD VS-2EFH01HM3/I Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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VS-2EFH01HM3/I Specifiche

Numero parte:VS-2EFH01HM3/I
Marca:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Active
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):100 V
corrente - media rettificata (io):2A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:950 mV @ 2 A
velocità:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):16 ns
corrente - dispersione inversa @ vr:2 µA @ 100 V
capacità @ vr, f:-
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:DO-219AB
pacchetto del dispositivo del fornitore:DO-219AB (SMF)
temperatura di esercizio - giunzione:-65°C ~ 175°C

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