S4PBHM3_A/I | Vishay General Semiconductor – Diodes Division S4PBHM3_A/I

S4PBHM3_A/I

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Numero parte	S4PBHM3_A/I
LIXINC Part #	S4PBHM3_A/I
Produttore	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoria	semiconduttore discreto › diodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione	DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	S4PBHM3_A/I Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 23 - Oct 27 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

S4PBHM3_A/I Specifiche

Numero parte:	S4PBHM3_A/I
Marca:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	Automotive, AEC-Q101, eSMP®
pacchetto:	Tape & Reel (TR)
stato della parte:	Active
tipo diodo:	Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):	100 V
corrente - media rettificata (io):	4A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:	1.1 V @ 4 A
velocità:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):	2.5 µs
corrente - dispersione inversa @ vr:	10 µA @ 100 V
capacità @ vr, f:	30pF @ 4V, 1MHz
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto/caso:	TO-277, 3-PowerDFN
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-277A (SMPC)
temperatura di esercizio - giunzione:	-55°C ~ 150°C

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