IDB30E120ATMA1

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Numero parte IDB30E120ATMA1
LIXINC Part # IDB30E120ATMA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IDB30E120ATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 20 - Oct 24 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IDB30E120ATMA1 Specifiche

Numero parte:IDB30E120ATMA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):1200 V
corrente - media rettificata (io):50A (DC)
tensione - avanti (vf) (max) @ if:2.15 V @ 30 A
velocità:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):243 ns
corrente - dispersione inversa @ vr:100 µA @ 1200 V
capacità @ vr, f:-
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TO263-3-2
temperatura di esercizio - giunzione:-55°C ~ 150°C

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