JAN1N5811US

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Numero parte JAN1N5811US
LIXINC Part # JAN1N5811US
Produttore Roving Networks / Microchip Technology
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD JAN1N5811US Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 20 - Oct 24 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

JAN1N5811US Specifiche

Numero parte:JAN1N5811US
Marca:Roving Networks / Microchip Technology
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:Roving Networks / Microchip Technology
serie:Military, MIL-PRF-19500/477
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):150 V
corrente - media rettificata (io):6A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:875 mV @ 4 A
velocità:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):30 ns
corrente - dispersione inversa @ vr:5 µA @ 150 V
capacità @ vr, f:60pF @ 10V, 1MHz
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:SQ-MELF, B
pacchetto del dispositivo del fornitore:B, SQ-MELF
temperatura di esercizio - giunzione:-65°C ~ 175°C

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