1N4448TAP

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Numero parte 1N4448TAP
LIXINC Part # 1N4448TAP
Produttore Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD 1N4448TAP Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 06 - Oct 10 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

1N4448TAP Specifiche

Numero parte:1N4448TAP
Marca:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:-
pacchetto:Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
stato della parte:Active
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):75 V
corrente - media rettificata (io):150mA
tensione - avanti (vf) (max) @ if:720 mV @ 5 mA
velocità:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
tempo di ripristino inverso (trr):8 ns
corrente - dispersione inversa @ vr:5 µA @ 75 V
capacità @ vr, f:4pF @ 0V, 1MHz
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:DO-204AH, DO-35, Axial
pacchetto del dispositivo del fornitore:DO-35
temperatura di esercizio - giunzione:175°C (Max)

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