1SS427,L3M

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Numero parte 1SS427,L3M
LIXINC Part # 1SS427,L3M
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD923
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD 1SS427,L3M Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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1SS427,L3M Specifiche

Numero parte:1SS427,L3M
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):80 V
corrente - media rettificata (io):100mA
tensione - avanti (vf) (max) @ if:1.2 V @ 100 mA
velocità:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
tempo di ripristino inverso (trr):1.6 ns
corrente - dispersione inversa @ vr:500 nA @ 80 V
capacità @ vr, f:0.3pF @ 0V, 1MHz
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:SOD-923
pacchetto del dispositivo del fornitore:SOD-923
temperatura di esercizio - giunzione:-55°C ~ 150°C

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