VS-8EWS16S-M3 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-8EWS16S-M3

VS-8EWS16S-M3

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Numero parte	VS-8EWS16S-M3
LIXINC Part #	VS-8EWS16S-M3
Produttore	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoria	semiconduttore discreto › diodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione	DIODE GEN PURP 1.6KV 8A TO252
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	VS-8EWS16S-M3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

VS-8EWS16S-M3 Specifiche

Numero parte:	VS-8EWS16S-M3
Marca:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	-
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Active
tipo diodo:	Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):	1600 V
corrente - media rettificata (io):	8A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:	1.1 V @ 8 A
velocità:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):	-
corrente - dispersione inversa @ vr:	50 µA @ 1600 V
capacità @ vr, f:	-
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto/caso:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-252, (D-Pak)
temperatura di esercizio - giunzione:	-40°C ~ 150°C

BYM11-400HE3/96	DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB	883 Maggiori informazioni su Ordine
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SB140	DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL	4862 Maggiori informazioni su Ordine
1SS321,LF	SMALL SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI	824 Maggiori informazioni su Ordine
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B330-13-F	DIODE SCHOTTKY 30V 3A SMC	4326 Maggiori informazioni su Ordine
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ESH3BHE3_A/I	DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB	968 Maggiori informazioni su Ordine
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SUF4006-CT	CUT-TAPE VERSION. ULTRAFAST RECO	20802 Maggiori informazioni su Ordine
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