VS-MURB820-1-M3

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Numero parte VS-MURB820-1-M3
LIXINC Part # VS-MURB820-1-M3
Produttore Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 200V 8A TO262AA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD VS-MURB820-1-M3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 22 - Oct 26 2024(Scegli spedizione rapida)
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VS-MURB820-1-M3 Specifiche

Numero parte:VS-MURB820-1-M3
Marca:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:FRED Pt®
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):200 V
corrente - media rettificata (io):8A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:975 mV @ 8 A
velocità:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):35 ns
corrente - dispersione inversa @ vr:5 µA @ 200 V
capacità @ vr, f:-
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-262AA
temperatura di esercizio - giunzione:-65°C ~ 175°C

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