US1M-E3/5AT

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Numero parte US1M-E3/5AT
LIXINC Part # US1M-E3/5AT
Produttore Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD US1M-E3/5AT Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 20 - Oct 24 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

US1M-E3/5AT Specifiche

Numero parte:US1M-E3/5AT
Marca:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):1000 V
corrente - media rettificata (io):1A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:1.7 V @ 1 A
velocità:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):75 ns
corrente - dispersione inversa @ vr:10 µA @ 1000 V
capacità @ vr, f:10pF @ 4V, 1MHz
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:DO-214AC, SMA
pacchetto del dispositivo del fornitore:DO-214AC (SMA)
temperatura di esercizio - giunzione:-55°C ~ 150°C

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