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Numero parte | GB01SLT12-252 |
LIXINC Part # | GB01SLT12-252 |
Produttore | GeneSiC Semiconductor |
Categoria | semiconduttore discreto › diodi - raddrizzatori - singoli |
Descrizione | DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | GB01SLT12-252 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 20 - Oct 24 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | GB01SLT12-252 |
Marca: | GeneSiC Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | diodi - raddrizzatori - singoli |
Produttore: | GeneSiC Semiconductor |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo diodo: | Silicon Carbide Schottky |
tensione - dc inversa (vr) (max): | 1200 V |
corrente - media rettificata (io): | 1A |
tensione - avanti (vf) (max) @ if: | 1.8 V @ 1 A |
velocità: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
tempo di ripristino inverso (trr): | 0 ns |
corrente - dispersione inversa @ vr: | 2 µA @ 1200 V |
capacità @ vr, f: | 69pF @ 1V, 1MHz |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-252 |
temperatura di esercizio - giunzione: | -55°C ~ 175°C |
VSS8D5M6-M3/I | 5A, 60V, SLIMSMAW TRENCH SKY REC | 843 Maggiori informazioni su Ordine |
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In magazzino | 12190 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.43000 | $1.43 |
2500 | $1.22691 | $3067.275 |
5000 | $1.18147 | $5907.35 |
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