GB01SLT12-252

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Numero parte GB01SLT12-252
LIXINC Part # GB01SLT12-252
Produttore GeneSiC Semiconductor
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD GB01SLT12-252 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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GB01SLT12-252 Specifiche

Numero parte:GB01SLT12-252
Marca:GeneSiC Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:GeneSiC Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo diodo:Silicon Carbide Schottky
tensione - dc inversa (vr) (max):1200 V
corrente - media rettificata (io):1A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:1.8 V @ 1 A
velocità:No Recovery Time > 500mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):0 ns
corrente - dispersione inversa @ vr:2 µA @ 1200 V
capacità @ vr, f:69pF @ 1V, 1MHz
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-252
temperatura di esercizio - giunzione:-55°C ~ 175°C

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