RS2J-M3/52T | Vishay General Semiconductor – Diodes Division RS2J-M3/52T

RS2J-M3/52T

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Numero parte	RS2J-M3/52T
LIXINC Part #	RS2J-M3/52T
Produttore	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoria	semiconduttore discreto › diodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione	DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	RS2J-M3/52T Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 20 - Oct 24 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

RS2J-M3/52T Specifiche

Numero parte:	RS2J-M3/52T
Marca:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)
stato della parte:	Active
tipo diodo:	Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):	600 V
corrente - media rettificata (io):	1.5A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:	1.3 V @ 1.5 A
velocità:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):	250 ns
corrente - dispersione inversa @ vr:	5 µA @ 600 V
capacità @ vr, f:	17pF @ 4V, 1MHz
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto/caso:	DO-214AA, SMB
pacchetto del dispositivo del fornitore:	DO-214AA (SMB)
temperatura di esercizio - giunzione:	-55°C ~ 150°C

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