US1AHE3_A/H | Vishay General Semiconductor – Diodes Division US1AHE3_A/H

US1AHE3_A/H

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Numero parte	US1AHE3_A/H
LIXINC Part #	US1AHE3_A/H
Produttore	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoria	semiconduttore discreto › diodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione	DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	US1AHE3_A/H Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 21 - Oct 25 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

US1AHE3_A/H Specifiche

Numero parte:	US1AHE3_A/H
Marca:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	Automotive, AEC-Q101
pacchetto:	Tape & Reel (TR)
stato della parte:	Active
tipo diodo:	Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):	50 V
corrente - media rettificata (io):	1A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:	1 V @ 1 A
velocità:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):	50 ns
corrente - dispersione inversa @ vr:	10 µA @ 50 V
capacità @ vr, f:	15pF @ 4V, 1MHz
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto/caso:	DO-214AC, SMA
pacchetto del dispositivo del fornitore:	DO-214AC (SMA)
temperatura di esercizio - giunzione:	-55°C ~ 150°C

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