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Numero parte | 1SS193,LF |
LIXINC Part # | 1SS193,LF |
Produttore | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Categoria | semiconduttore discreto › diodi - raddrizzatori - singoli |
Descrizione | DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | 1SS193,LF Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 20 - Oct 24 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | 1SS193,LF |
Marca: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | diodi - raddrizzatori - singoli |
Produttore: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo diodo: | Standard |
tensione - dc inversa (vr) (max): | 80 V |
corrente - media rettificata (io): | 100mA |
tensione - avanti (vf) (max) @ if: | 1.2 V @ 100 mA |
velocità: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
tempo di ripristino inverso (trr): | 4 ns |
corrente - dispersione inversa @ vr: | 500 nA @ 80 V |
capacità @ vr, f: | 3pF @ 0V, 1MHz |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | S-Mini |
temperatura di esercizio - giunzione: | 125°C (Max) |
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In magazzino | 14121 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.23000 | $0.23 |
3000 | $0.03847 | $115.41 |
6000 | $0.03345 | $200.7 |
15000 | $0.02844 | $426.6 |
30000 | $0.02676 | $802.8 |
75000 | $0.02509 | $1881.75 |
150000 | $0.02342 | $3513 |
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