JAN1N5416US

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Numero parte JAN1N5416US
LIXINC Part # JAN1N5416US
Produttore Roving Networks / Microchip Technology
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD JAN1N5416US Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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JAN1N5416US Specifiche

Numero parte:JAN1N5416US
Marca:Roving Networks / Microchip Technology
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:Roving Networks / Microchip Technology
serie:Military, MIL-PRF-19500/411
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):100 V
corrente - media rettificata (io):3A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:1.5 V @ 9 A
velocità:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):150 ns
corrente - dispersione inversa @ vr:1 µA @ 100 V
capacità @ vr, f:-
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:B, Axial
pacchetto del dispositivo del fornitore:-
temperatura di esercizio - giunzione:-65°C ~ 175°C

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