1N4150W-HE3-18

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Numero parte 1N4150W-HE3-18
LIXINC Part # 1N4150W-HE3-18
Produttore Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD 1N4150W-HE3-18 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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1N4150W-HE3-18 Specifiche

Numero parte:1N4150W-HE3-18
Marca:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Active
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):50 V
corrente - media rettificata (io):200mA
tensione - avanti (vf) (max) @ if:1 V @ 200 mA
velocità:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
tempo di ripristino inverso (trr):4 ns
corrente - dispersione inversa @ vr:100 nA @ 50 V
capacità @ vr, f:2.5pF @ 0V, 1MHz
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:SOD-123
pacchetto del dispositivo del fornitore:SOD-123
temperatura di esercizio - giunzione:-55°C ~ 150°C

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