1N5811TR

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Numero parte 1N5811TR
LIXINC Part # 1N5811TR
Produttore Microsemi
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD 1N5811TR Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 27 - Oct 31 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

1N5811TR Specifiche

Numero parte:1N5811TR
Marca:Microsemi
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:Microsemi
serie:-
pacchetto:Bag
stato della parte:Active
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):150 V
corrente - media rettificata (io):6A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:875 mV @ 4 A
velocità:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):30 ns
corrente - dispersione inversa @ vr:5 µA @ 150 V
capacità @ vr, f:-
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:B, Axial
pacchetto del dispositivo del fornitore:-
temperatura di esercizio - giunzione:-65°C ~ 175°C

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