NHPV08S600G

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Numero parte NHPV08S600G
LIXINC Part # NHPV08S600G
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NHPV08S600G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 23 - Oct 27 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NHPV08S600G Specifiche

Numero parte:NHPV08S600G
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):600 V
corrente - media rettificata (io):8A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:3.2 V @ 8 A
velocità:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):50 ns
corrente - dispersione inversa @ vr:30 µA @ 600 V
capacità @ vr, f:-
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:TO-220-2
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220-2
temperatura di esercizio - giunzione:-55°C ~ 150°C

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