1N5553US | Roving Networks / Microchip Technology 1N5553US

1N5553US

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Numero parte	1N5553US
LIXINC Part #	1N5553US
Produttore	Roving Networks / Microchip Technology
Categoria	semiconduttore discreto › diodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione	DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	1N5553US Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 28 - Nov 01 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

1N5553US Specifiche

Numero parte:	1N5553US
Marca:	Roving Networks / Microchip Technology
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:	Roving Networks / Microchip Technology
serie:	-
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Active
tipo diodo:	Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):	800 V
corrente - media rettificata (io):	3A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:	1.2 V @ 9 A
velocità:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):	2 µs
corrente - dispersione inversa @ vr:	1 µA @ 800 V
capacità @ vr, f:	-
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto/caso:	SQ-MELF, B
pacchetto del dispositivo del fornitore:	B, SQ-MELF
temperatura di esercizio - giunzione:	-65°C ~ 175°C

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