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Numero parte | IDH08G65C6XKSA1 |
LIXINC Part # | IDH08G65C6XKSA1 |
Produttore | IR (Infineon Technologies) |
Categoria | semiconduttore discreto › diodi - raddrizzatori - singoli |
Descrizione | DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO220-2 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | IDH08G65C6XKSA1 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 10 - Oct 14 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | IDH08G65C6XKSA1 |
Marca: | IR (Infineon Technologies) |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | diodi - raddrizzatori - singoli |
Produttore: | IR (Infineon Technologies) |
serie: | - |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo diodo: | Silicon Carbide Schottky |
tensione - dc inversa (vr) (max): | 650 V |
corrente - media rettificata (io): | 20A (DC) |
tensione - avanti (vf) (max) @ if: | 1.35 V @ 8 A |
velocità: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
tempo di ripristino inverso (trr): | 0 ns |
corrente - dispersione inversa @ vr: | 27 µA @ 420 V |
capacità @ vr, f: | 401pF @ 1V, 1MHz |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto/caso: | TO-220-2 |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | PG-TO220-2 |
temperatura di esercizio - giunzione: | -55°C ~ 175°C |
HS3G V6G | DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB | 935 Maggiori informazioni su Ordine |
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In magazzino | 11445 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.93000 | $3.93 |
10 | $3.52712 | $35.2712 |
100 | $2.88987 | $288.987 |
500 | $2.46010 | $1230.05 |
1000 | $2.07478 | $2074.78 |
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